RESUMO
Neste trabalho é apresentado o estudo e a caracterização da eletrodeposição do
material semicondutor CdTe sobre o substrato platina a temperatura ambiente (24°C)
a partir de eletrólito ácido-sulfato. Para esse efeito, foram utilizadas as técnicas
eletroquímicas associadas à técnica de difratometria de raios-X, Microscopia
eletrônica de varredura (MEV) e Medidas de capacitância. Foram verificados que os
valores de potencial iguais a -114, -151, -205, -271 e -352 mV, onde ocorrem etapas
distintas do processo global da deposição do CdTe. O surgimento do pico catódico e
a posterior formação de um patamar de corrente, sugerem que está ocorrendo o
controle misto no processo de deposição do filme de CdTe, sejam estes, controle por
ativação e controle por transporte de massa na solução. Por outro lado, o
aparecimento do pico anódico em valores de potencial positivo indica a dissolução
completa do material. A partir dos valores indicados de potencial, foi conduzida a
técnica potenciostática. Foi notado que o aumento da carga depositada de CdTe é
diretamente proporcional ao aumento do potencial catódico de deposição. No entanto,
tem-se que no potencial de -205 mV e 352 mV, isto não acontece. Os filmes de CdTe
depositados potenciostaticamente, nos potenciais – 114, - 151, - 205, - 271 e – 352
mV, apresentaram padrão de difração de raios-X para a fase cúbica do CdTe, onde
se tem um pico de maior intensidade referente ao plano (220). Através dos resultados
do MEV foi verificado que os filmes depositados apresentarão morfologia
característica de estrutura granular. Foi evidenciado a partir das medidas de
capacitância (Mott-Schottky) que os filmes de CdTe depositados apresentaram
características de um semicondutor tipo n. De um modo geral, tem-se que, a partir do
ajuste de parâmetros eletroquímicos (especificamente, o potencial de deposição), é
possível ter o controle das características estruturais e cristalográficas do filme de
CdTe. Portanto, o estabelecimento daqueles parâmetros permite definir as
propriedades do material semicondutor com fins na aplicação em dispositivos
fotovoltaicos.
Palavras-chave: Eletrodeposição. CdTe. Caracterização. Platina.
